SiC je široce používán v mnoha oblastech díky svému vynikajícímu výkonu, zejména ve výkonových elektronických zařízeních a mikrovlnných radiofrekvenčních zařízeních. Díky své odolnosti vůči vysokému napětí, vysoké teplotě, vysoké frekvenci a nízkým ztrátám je karbid křemíku považován za lídra v oblasti „polovodičových materiálů třetí generace“ a je široce používán při výrobě- zařízení s vysokým výkonem.
