Karbid SiC Silicon

Karbid SiC Silicon nemá bod tání a varu v obecném smyslu a má malý koeficient tepelné roztažnosti a vysokou tepelnou vodivost. Odolnost s vysokou čistotou sic snižuje se zvyšováním teploty a vztah mezi odporem a teplotou obsahující nečistoty obsahující nečistoty je komplikovaný
Karbid SiC Silicon je důležitý anorganický nekovový materiál a polovodičový materiál třetí generace.
Karbid SiC Silicon je druh materiálu s vysokou tvrdostí, vysokým bodem tání, vysokou chemickou stabilitou, dobrou tepelnou vodivostí a vynikajícími elektrickými vlastnostmi.
Může být použit v abrazivech, žáružkách, chemikáliích, elektronických zařízeních, automobilových a jaderných energetických polích.
V oblasti elektronického obalu lze použít jako balicí materiál k rychlému provádění tepla; V oblasti povlaku rezistentního na opotřebení lze použít k přípravě povlaku odolné vůči opotřebení, zlepšení životnosti mechanických částí, nástrojů atd.; V oblasti optiky může být použit k výrobě ultrafialových detektorů, optických oken atd.
Cenový faktor: suroviny polovodičové třídy mají vysoké požadavky na čistotu, vysoké náklady na čištění a jejich náklady jsou často 3-5 časy surovin průmyslové třídy a poptávka po upgradech technologií může v krátkodobém horizontu zvýšit ceny.